| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AD9680BCPZ-1000 | ADI/亚德诺 |
N |
21+ |
100 |
||||
| DSPIC33CK32MP502T-I/SS | 存储IC |
MICROCHIP/微芯 |
22+ |
546 |
||||
| BAQ33-GS08 | 通用二极管 |
VISHAY/威世 |
N |
22+ |
36 |
|||
| IXTT68P20T | IC |
IXYS/艾赛斯 |
Tube |
23+ |
180 |
|||
| PSMN027-100BS,118 | IC |
NXP/恩智浦 |
22+ |
1000 |
||||
| S9S08SG8E2WTG | IC |
NXP/恩智浦 |
SOT23 |
21+ |
700 |
|||
| MMBZ4694-E3-08 | 运放IC |
VISHAY/威世 |
N |
23+ |
18960 |
|||
| IXGN200N170 | IGBT模块 |
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
30 |
||||
| QPD0405 | 存储IC |
QORVO |
18+ |
100 |
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| 510KBA125M000BAGR | SKYWORKS/思佳讯 |
N |
20+ |
34 |
||||
| FDS3692 | MOS(场效应管) |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| NVGS5120PT1G | MOS(场效应管) |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| 2N7002W | MOS(场效应管) |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| FDP3651U | MOS(场效应管) |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| NTND31225CZTAG | 中高压MOS管 |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| NTD18N06LT4G | 其他被动元件 |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| FDS6898AZ | 低压MOS管 |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| FDG6321C | 低压MOS管 |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| FQA140N10 | 低压MOS管 |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
|||
| FCP4N60 | 贴片三极管 |
ONSEMI/安森美 |
A+ |
23+ |
5000 |
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